К.с.-х.н. Нокушева Ж.А, Черкасова
Е.-студентка второго курса
Северо-Казахстанский
государственный университет имени М.Козыбаева, г. Петропавловск
Влияние
хитозановых фиторегуляторов на
динамику прорастания семян моркови
Современные технологии
сельскохозяйственного производства производства нуждаются в применении
биогенных комбинированных полифункциональных ФАВ нового поколения с
органическими удобрениями, оптимизирующими питание, стимулирующими рост и
развитие растений и индуцирующими устойчивость культуры к неблагоприятным
факторам без ущерба для агроэкологии и качества получаемой продукции.
Приоритетом в этой области обладают экологически безопасные, нетоксичные и
нефитотоксичные фиторегуляторы и индукторы устойчивости растений на основе
хитозана [1].
Росторегулирующее действие хитозана
связано с его проникновением в клеточное ядро, образованием устойчивых
комплексов с двуспиральной ДНК и влиянием на экспрессию соответствующих генов.
При воздействии на растительный организм хитозан усиливает и ускоряет ризогенез,
каллусо- и морфогенез, а также регенерацию поврежденных тканей. Хитозан
обладает способностью индуцировать в растениях образование фитоалексипов,
вызывать продолжительную локальную и системную устойчивость растений к
заболеваниям, а также индуцирует биосинтез хитина и растительных тканей,
сопряженных с пораженными участками [2,3].
В большинстве отчетов отмечается
резкое улучшение качества урожая большинства культур, повышение его хранимости
и зимней лежкости. Практически для всех культур отмечается значительное
улучшение вкуса и увеличение количества собранных плодов. Значительно
увеличиваются и размеры многих плодов. Причем это увеличение связано не с тем,
что в растениях происходят какие-то мутационные изменения, а с тем, что в
благоприятных условиях растения в состоянии в полной мере реализовать все
генетически заложенные в них возможности. Вместе с тем среди рекомендованных
регуляторов роста (РР) малоизученными оставались биогенные хитозановые
фиторегуляторы. Для сравнительной оценки рост стимулирующего действия новых
ФАВ, наряду с хитофосом и цитохитом изучали также хитозановый
фиторегулятор фитохит, производимый НПК
«ХШЭК-21».
В связи с этим в наших исследованиях важным представлялось определение
оптимальных ростстимулирующих концентраций фитохита, хитофоса и цитохита,
стимулирующие динамику прорастания семян и активизирующие рост и развитие
проростков столовой моркови. Для этого
в условиях лабораторных опытов изучали влияние различных хитозановых фиторегуляторов
на динамику прорастания семян и начальный рост проростков столовой моркови
сорта Нантская.
Семена моркови имеют плотную
оболочку, содержащую 0,5-1% эфирных масел и ингибитор роста «карегол», которые затрудняют поглощение
водных растворов фиторегуляторов, следствие чего семена медленно набухают и
прорастают. Поэтому эффективность намачивания семян моркови в течение одного
часа в водном растворе фитохита представляется проблематичной. Ранее было
показано, что для моркови оптимальными периодами намачивания в водных растворах
ФАВ являются 48 и 36 часов соответственно.
Представляется также мало вероятным
проявление высокого ростстимулирующего действия фитохита при обработке семян
моркови водными растворами препарата в концентрациях 100 г/л и 200-133 мг/л.
Семена проращивали в чашках Петри
(по 100 шт.) при 20°С в термостате в темноте. Норма
расхода водных растворов препаратов 10 и 20 мл на чашку Петри соответственно на
100 шт. семян моркови. Семена намачивали в растворах ФАВ в течение 48 часов, а
затем переносили в другие чашки Петри с фильтровальной бумагой, увлажненной
водой. Контрольные семена намачивали в воде. При этом определяли энергию
прорастания, всхожесть, индекс скорости прорастания, длину стебелька и корня,
массу проростка (таблица 1). Энергию прорастания и всхожесть семян определяли
на 3-й и 10-й день проращивания, а длину и массу проростков — на 10-й день при
ликвидации опыта.
Проведенные исследования показали
благоприятное влияние намачивания семян моркови в растворах фиторегуляторов в
концентрации 100 мг/л на их физиологическое состояние и динамику прорастания,
способствующее повышению энергии прорастания и всхожести семян. Индекс скорости
прорастания семян под воздействием ФАВ ростстимулирующих в 100 мг/л
концентрациях превысил контроль на 10,7-51,3%. При намачивании семян в растворах
росторегуляторов отмечался активный рост корней и стебельков моркови и,
превышающий контроль на 52,0-76,0 и 42,9-64,9% соответственно. Прирост сырой массы проростков моркови при
обработке семян фитохитом, хитофосом и
цитохитом составил 43,8-59,4 и 40,153,5%
соответственно в сравнении с контролем. При этом по ростстимулирующей
способности столовой моркови наиболее эффективными оказались хитофос и цитохит,
существенно превосходящие по относительной активности фитохит.
Таблица 1
Влияние регуляторов роста на посевные качества семян и состояние проростков
столовой моркови сорта Нантская 4
Варианты опыта |
Концентрация по д.в., мг/л |
Энергия прорастания, % |
Всхожесть, % |
Индекс скорости прорастания |
Длина, см |
Масса проростка, мг |
|
стебелька |
корня |
||||||
контроль |
— |
50.4 |
66.9 |
17.1 |
4.2 |
3.4 |
9.6 |
Фитохит |
100 |
53.8 |
63.7 |
15.9 |
3.5 |
2.9 |
8.4 |
Хитофос |
100 |
55.8 |
73.3 |
21.0 |
5.2 |
4.1 |
12.9 |
Цитохит |
100 |
57.4 |
70.6 |
20.3 |
4.9 |
5.0 |
13.3 |
Таким образом, изучено влияние
различных регуляторов роста на посевные качества семян столовой моркови и
установлено, что намачивание семян в растворах хитофоса повышает энергию
прорастания и лабораторную всхожесть.
Литература:
1. Никелл Л.Дж. Регуляторы роста
растений. Применение в сельском
хозяйстве / Пер. с англ. В.Г. Кочанкова. Под ред. В.И. Кефели. М.:Колос,
1984. 192 с.
2.
Сергеева Л.С.
Влияние предпосевного намачивания семян в растворах ФАВ на качество и
урожайность моркови // Сб. науч. тр. ЛСХИ: Интенсификация возделывания овощных,
плодовых и ягодных культур. Л., 1982. С. 11-14
3.
Советкина
В.Е., Матевосян Г.Л., Сергеева Л.С. Фитотехническая программа регулирования
роста и развития основных овощных культур // Тез. докл. П конф. Регуляторы роста
и развития растений. М., 1993. Т. 1. 63 c.