Хандецький В.С., Мартинович Л.Я.
Дніпропетровський
національний університет ім. О. Гончара
ДОСЛІДЖЕННЯ ВЗАЄМОДІЇ ПОЛЯ СТРУМОВОГО
ВИТКА З ТОНКИМ СЛАБОПРОВІДНИМ КОМПОЗИТНИМ ШАРОМ
Багато задач прикладного характеру у різних галузях виробництва
(машинобудування, приладобудування, виробництво напівпровідникових приладів,
хімічних джерел струму, сонячних елементів тощо) пов’язано з вимірюванням електрофізичних параметрів тонких
слабопровідних композитних шарів у вигляді плівок і різноманітних покрить безпосередньо в технологічному процесі, при
переміщенні плівки ці стрічки з тонким слабо- провідним покриттям. В цих
випадках принципово можуть застосовуватись лише безконтактні методи вимірювання.
Для
визначення основних закономірностей взаємодії вісесиметричного
електромагнітного поля витка, що живиться гармонійним струмом, з тонким
слабопровідним шаром одержано наступний вираз (1), що визначає активний опір,
внесений у виток вихоровими струмами, збудженими у шарі.
, (1)
,
де , , , , , ,
, , .
Тут d- метрична товщина шару, ω- частота поля витка, σ – питома електрична провідність матеріалу шару, μ0- магнітна постійна.
Представляє значний практичний інтерес
залежність внесеного функціоналу F(ξ,β,α), який представляє інтеграл в (1) і визначає
величину внесеного активного опору у токовий виток, від величини узагальненого
зазору α=2h/R [1]. Вважаємо, що вісь витка є
перпендикулярною до поверхні шару, при цьому h- величина метричного зазору між
площиною витка з нехтувально малим
перерізом і зовнішньою поверхнею шару,
R – радіус витка. Дослідимо F(ξ,β,α) в діапазоні
0,001≤ ξ ≤ 0,1 ,
0,01≤ β ≤ 0,1.
Значення F(α) при різних величинах ξ і
β
Таблиця 1
α |
F(α) |
||||||||
ξ=0,001 |
ξ=0,01 |
ξ=0,1 |
|||||||
β=0,01 |
β=0,05 |
β=0,1 |
β=0,01 |
β=0,05 |
β=0,1 |
β=0,01 |
β=0,05 |
β=0,1 |
|
0,01 |
2,48 |
2,48 |
2,47 |
23,7 |
23,72 |
23,7 |
214 |
214 |
214 |
0,03 |
2,34 |
2,34 |
2,34 |
22,5 |
22,52 |
22,5 |
205 |
204,8 |
205 |
0,08 |
2,08 |
2,08 |
2,07 |
20,2 |
20,2 |
20,2 |
186 |
185,6 |
190 |
0,1 |
1,99 |
1,99 |
1,99 |
19,4 |
19,4 |
19,4 |
179 |
179,2 |
180 |
0,3 |
1,4 |
1,4 |
1,4 |
13,9 |
13,88 |
13,9 |
130 |
130 |
130 |
0,5 |
1,05 |
1,05 |
1,05 |
10,5 |
10,48 |
10,5 |
99 |
98,8 |
98,5 |
0,8 |
0,726 |
0,72 |
0,72 |
7,2 |
7,2 |
7,2 |
68 |
68,4 |
68 |
1 |
0,58 |
0,58 |
0,58 |
5,8 |
5,76 |
5,7 |
55 |
54,8 |
55 |
В стовпцях таблиці значення F(α) для β=0,01
помножені на 100, а для β=0,05 на 4. Як видно з даних таблиці, відповідні
значення кожних трьох стовпців для
кожного значення ξ практично
повністю співпадають. Таким чином, вплив узагальненого параметра β в означених діапазонах β і ξ можна відобразити наступним
чином:
. (2)
Розглянемо вплив узагальненої товщини шару ξ. Залежності F(α)
для β=0,1 і ξ=0,001, ξ=0,01 і ξ=0,1
показані на рис. 1.
Визначивши
вплив на величину внесеного функціоналу F(ξ,β,α) узагальненого параметра β (2), тепер зафіксуємо його на максимальній межі діапазону β=0,1 і
дослідимо залежності F від величини узагальненого зазору α для різних значень
узагальненої товщини шару ξ.
Приймемо ξ=0,001. Для 0,01≤ α ≤ 1,0 одержимо:
100·F = 234,04·e-1,4612α , R2=0,9898 . (8)
Для 0,01≤ α
≤ 0,8 -
100·F = 237,54·e-1,5545α , R2=0,9902 . (9)
Для 0,01≤ α
≤ 0,5 -
100·F = 242,52·e-1,7256α , R2=0,9923 . (10)
Для 0,01≤ α
≤ 0,3 -
100·F = 246,11·e-1,9162α , R2=0,9924 . (11)
Для 0,01≤ α ≤ 0,1 - 100·F = 252,24·e-2,413α , R2=0,9982 . (12)
α F(α)
Рис. 1. Залежності F(α), що відображують вплив узагальненого
зазору, для β=0,1 при ξ=0,001 (♦), ξ=0,01 (■), ξ=0,1 (▲). Значення F(α) для ξ=0,001
помножені на 100, а значення F(α) для ξ=0,01 помножені на 10.
Проаналізувавши
залежності (8) – (12) можна побачити, що при звуженні діапазону α збільшується і абсолютна величина
показника експоненти і коефіцієнт перед експонентою. Проте величина останнього
змінюється дуже повільно. Позначивши цей коефіцієнт як С0, одержимо, що його середнє значення дорівнює С0,ср.=242,49,
а максимальні відносні відхилення складають -3,4% і 4,0%. Позначимо абсолютну
величину показника експоненти у виразах (8) – (12) буквою к , а верхню межу діапазону значень узагальненого зазору як αu . Залежність
величини к від αu добре апроксимується
як
к = 1,4756·αu-0,2152 ,
R2=0,9988 .
(13)
Приймемо ξ=0,01. Середнє
значення коефіцієнту С0 дорівнює С0,ср.=233,74,
а максимальні відносні відхилення складають -2,8% і 3,3%. Залежність величини к від αu має вигляд :
к = 1,4383·αu-0,1869 ,
R2=0,9987 . (14)
Приймемо ξ=0,1.
Середнє значення коефіцієнту С0 дорівнює С0,ср.=213,6
, а максимальні відносні відхилення складають -2,3% і 1,8%. Залежність величини
к від αu має вигляд :
к = 1,4288·αu-0,1178 ,
R2=0,933 .
(15)
Коефіцієнт вірогідності апроксимації R2 [2] у цьому випадку менше, чим у
попередніх для більш тонких шарів ξ=0,001 і ξ=0,01.
Звернемо увагу на величину коефіцієнта перед αu у виразах (13),
(14), (15). Позначимо його як d. Середнє значення d складає dср.=1,4476, а відносні відхилення дорівнюють 1,9% і
-1,3%. Такими похибками у першому наближенні можна нехтувати, вважаючи dср= d в усьому діапазоні товщин шарів 0,001≤ ξ ≤ 0,1.
Визначимо вплив узагальненої товщини шару ξ на величину
внесеного функціоналу F(ξ,β,α). На основі виразів (8)-(12) та рис.1 можна
записати
. (16)
Розіб’ємо весь
діапазон товщин 0,001≤ ξ
≤ 0,1 на три піддіапазони.
Для першого піддіапазону найбільш тонких шарів 0,001≤ ξ ≤ 0,01
F(α) = С1exp(-dα·αu-λ1) , (17)
де С1 =238,6 , λ1=0,201 . Значення С1 і
λ1 розраховані шляхом використання лінійної
залежності між точками, що відповідають
ξ=0,001 і ξ=0,01.
Для
другого піддіапазону шарів середньої товщини 0,01< ξ ≤ 0,05 формула (17) не
змінюється, проте коефіцієнти С2
=230,35 , λ2=0,1753 .
Для
третього піддіапазону шарів найбільшої товщини 0,05< ξ ≤ 0,1 формула (31) також не
змінюється, проте коефіцієнти С3
=219,18 , λ3=0,1369.
Величина αu задає
верхню межу для діапазону зазору між площиною витка зі струмом і поверхнею шару.
Значення d для усіх трьох піддіапазонів приймається однаковим
d =1,4476.
Узагальнюючи вирази (7), (30), (31) одержимо :
, (18)
де Сξ і λξ обираються відповідно до одного з
трьох визначених вище піддіапазонів узагальненого зазору α.
Література
1. Соболев В.С., Шкарлет Ю.М. Накладные и экранные датчики.-Новосибирск : Наука, 1977.- 143 с.
2. Бабак В.П., Хандецький В.С., Шрюфер Е. Обробка сигналів.- Київ: Либідь, 1999.-495 с.