Химия и химические технологии/5. Фундаментальные проблемы создания новых материалов и технологий

 

 

 

 

 

Васин А.А., д. х. н. Зуев М. Г., Заболоцкая Е.В.

Институт химии твердого тела УрО РАН

Люминофоры со структурой апатит силиката,

допированные Eu3+

 

При замещении Sr на Eu в 4f положении в катионной подрешетке образуются ионы Eu2+ (Рис.1). Механизм образования ионов Eu2+ может быть представлен следующим образом:

3Sr2+ → 2Eu3++ VSr" (1),

где VSr" – вакансия образующаяся на месте 3-го иона Sr2+, когда он мигрирует со своего места в кристаллической решетке. После чего происходит компенсация электрического заряда в ячейке: отрицательный заряд передается от вакансии к ионам Eu3+ с образованием ионов Eu2+

2Eu3+ + VSr" → 2Eu2+ +  (2).

Рис.1 Кристаллическая структура образца Sr2Eu8(SiO4)4.8(PO4)1.2O2  спроецированная на

базисную плоскость элементарной ячейки (001)

 

 

Из (2) следует, что дефектность кристаллической решетки при этом возрастает. Косвенно об этом свидетельствует изменение цвета образцов с белого на бирюзовый, т.е. возникновение центров окраски в структуре.

         Наличие Eu2+ в Sr2Eu8(SiO4)6(1-x)(PO4)6xO2 подтверждается данными ЭПР (Рис. 2).

Рис.2 Спектр ЭПР для образца SrEu(SiO)(PO)O(1).

 

Как видно из рис.2  для спектра ЭПР образца (1) характерно наличие  интенсивных сигналов с соответствующим Eu2+ g = 2.23  от двух распложенных симметрично относительно оси z = 1/2 4f - центров. Для сравнения: анализ образца, не содержащего фосфор (Sr2Y6.6Eu1.4(SiO4)6O2) также показывает содержание в нем Eu2+, но сигнал при этом слабый, не имеющий четкой структуры, с g = 2.02. Различие сигналов может быть объяснено увеличением числа ионов Eu2+.

Рис.3 Спектры люминесценции образцов Sr2Gd7.2Eu0.8(SiO4)6(1-x)(PO4)6xO2.

1) x=0, 2) x=0.05, 3) x=0.08, 4) x=0.1, 5) x=0.15

 

           Из рис.3 видно, что наименьшей интенсивностью люминесценции обладает образец, не содержащий фосфора, а наибольшей − образец с содержанием фосфора x=0.05. Кроме того максимум интенсивности образцов при увеличении количества вводимого в решетку Р немного смещается в более длинноволновую область (от λ = 614.31 нм при х = 0.05 до 614.63 нм при х = 0.15), что свидетельствует о  снижении энергии, поглощаемой при переходе  5D07F2 иона Eu3+. Также на графике видно, что интенсивность перехода 5D07F0 фосфосиликатов больше чем у чистого силиката Sr2Gd7.2Eu0.8(SiO4)6O2, что в свою очередь обусловлено тем, что  прочность связи PO выше чем у SiO, соответственно в тетраэдрах [PO4]3- ионы кислорода сильнее стабилизированы чем в [SiO4]4- из чего следует, что воздействие кристаллического поля, создаваемого ионами O2- входящими в фосфор-кислородные тетраэдры, слабее, чем для чистого силиката, что приводит к уменьшению безызлучательных потерь.

Работа выполнена при финансовой поддержке междисциплинарного проекта 12-М-23-2007 и Программы ОХНМ (проект 12-Т-З-1009).