Физика/2. Физика твердого тела
к.ф.-м.н.
Тагаева Б.С., д.ф.-м.н. Ким Л.М., Тусупбекова А.К.
Карагандинский
государственный университет им.Е.А. Букетова, Казахстан
Влияние примесных ионов меди на рекомбинационные процессы в кристаллах KDP
Известно [1], что ионы Cu2+ входят
в кристаллическую решетку KDP по-разному.
Методом ЭПР показано, что при активации KDP нитратом меди ионы Cu2+ занимают преимущественно катионные узлы, а при
активации с помощью соли CuSO4 ион двухвалентной меди занимает межузельное положение
[1].
Целью данной работы является
установление влияния примесных ионов меди, занимающих различное положение в
кристаллической решетке, на рекомбинационные процессы в кристаллах KDP.
Кристаллы KDP, активированные ионами двухвалентной меди, были
выращены из насыщенных водных растворов методом изотермического испарения
растворителя при 40 0С. Для допирования образцов в исходный раствор
добавлялись соли Cu(NO3)2
и CuSO4 в
количестве 0,2 моль %. Такая концентрация примесных ионов обеспечивает
вхождение ионов меди в кристаллическую решетку KDP преимущественно
в катионном узле или в междоузельное положения, соответственно. В обоих случаях
были получены монокристаллы, имеющие заметную окраску. Измерение спектра
поглощения позволило установить, что оптическое поглощение меди у этих образцов
различно (см. рис. 1). Следовательно, это можно связать с тем, что ионы меди
занимают различное положение.
Были измерены кривые
термостимулированной люминесценции (ТСЛ) после рентгеновского облучения. Для того, чтобы выделить влияние ионов меди нами
были измерены кривые ТСЛ для кристаллов KDP-К2SO4 и KDP-КNO3. На рис. 2 приведена типичная кривая ТСЛ для KDP-CuSO4. Наличие примесных ионов меди приводит к появлению
нового пика рекомбинационной люминесценции с максимумом при 140К. Этот пик выделяется явно после изотермического отжига
облученного образца при 110-120К (кривая 2).
Для образца KDP-Cu(NO3)2
также наблюдается новый пик ТСЛ при 140К. Кроме него наблюдается еще один пик
при 240К.
Измерение спектрального
состава при 120К и 140К показало, что он одинаков. Он представляет собой
одиночную полосу с максимумом при 2,6 эВ. Таким образом, установлено, что
температурное положение этого нового пика ТСЛ и его спектральный состав не
зависит от наличия в KDP примесных
анионов NO3- или SO42- и от
положения примесных ионов Cu2+ в кристаллической решетке матрицы. Это позволяет
утверждать, что появление пика ТСЛ при 140К с одной стороны, связано с наличием
примесных ионов двухвалентной меди, с другой стороны - его свойства не зависят
от Cu2+.
Известно, что пик ТСЛ при 120К связан с распадом
В-радикалов [2]. В-радикал является одним из дефектов, который возникает в
решетке KDP, и он дает наведенную полосу
поглощения. Мы измерили кривые термообесцвечивания в полосе поглощения
В-радикалов. На рис. 3 приведен полученный результат. Видно, что наличие ионов
меди меняет ход кривой термообесцвечивания. Это позволяет приписать пик ТСЛ при
140К В-радикалам, уровень термической стабильности которых повышен из-за
влияния примесных ионов меди. Как уже говорилось выше в кристаллах KDP-Cu(NO3)2
на кривой ТСЛ появляется новый пик при 240К. Измерение спектров поглощения в
полосах поглощения ионами меди показало, что оптическая плотность примесного
поглощения после облучения уменьшается. Следовательно, под действием радиации в
кристаллах KDP-Cu(NO3)2 происходит изменение зарядового
состояния примесных ионов меди. Установлено, что исходная концентрация ионов Cu2+
восстанавливается в области 240К, где наблюдается новый пик свечения (см. рис.
4).
Кроме того, в кристалле KDP-Cu(NO3)2
появляется новая полоса поглощения в области 6,2 эВ. Установлено, что если ион Cu2+
является ионом замещения, то при облучении рентгеновскими квантами примесный
ион играет роль ловушек для электронов.
Таким образом, в зависимости от положения в
кристаллической решетке примесные ионы меди по-разному влияют на
рекомбинационные процессы в кристаллах KDP. Если ионы меди занимают межузельные положения, то их
наличие проявляется повышением термической стабильности у части В-радикалов.
Если ионы меди являются ионами замещения, то они повышают термическую
стабильность В-радикалов и являются ловушками для электронов. Образованием
электронных примесных центров обусловлено появление пика при 240К.
Литература:
1. Otani A., Makishima
S. J. Phys. Soc. Jap. – 1969. – V. 26. – P. 85-91.
2. Тагаева Б.С., Кукетаев Т.А., Ким Л.М., Балтабеков
А.С. Оптические и радиационные свойства
KDP, активированных ионами талия// Вестник КазНУ. Серия физическая. – 2008.
– №1 (25). – С. 68-74.