Химия и
химические технологии /
Фундаментальные
проблемы
создания новых
материалов
Износоустойчивость контактных
площадок из сплавов на основе меди
Ляпина Е.В., Подолян Р.А.
Одесская национальная академия пищевых технологий,
ул. Канатная 112, г. Одесса, 27039
Основное
требование, предъявляемое к материалам контактных площадок токопроводящих
элементов переменных непроволочных композиционных резисторов – обеспечение
заданной величины минимального сопротивления при крайних положениях подвижной
системы резистора и минимальное сопротивление дополнительных отводов. Нанесение
контактных участков токопроводящих элементов резисторов осуществляется методом
испарения конечных навесок в вакууме в установках барабанного типа. Это
обстоятельство накладывает определенные требования на состав исходного сплава.
Так, выбранный материал-заменитель должен обеспечить формирование идентичных по
составу и свойствам слоев на различных стадиях испарения навески. Расчеты
режимов испарения конечных навесок сплавов Сu – Sn, выполненные по методике работы [2], показали,
что данная система испаряется в вакууме без значительного фракционирования при
температуре испарения 1500-1700°С. Исследования электрофизических, механических
и других эксплуатационных свойств позволили установить оптимальный состав
исходной навески: 38-42 масс. % Сu, 58-62 масс. % – Sn. Экспериментально
установлено, что испытания на износоустойчивость могут служить одним из
критериев годности предлагаемого материала. В связи с этим мы изучили процесс износа
материала-заменителя с целью выяснения возможности замены серебра сплавов Сu – Sn в контактных площадках переменных
непроволочных композиционных резисторов.
Нанесение
контактных слоев из сплава Сu – Sn проводилось на промышленных вакуумных
установках барабанного типа. Давление в вакуумной камере составляло 0,05-0,1
Па. Подложками служили стандартные токопроводящие элементы из гетинакса с
резистивным слоем на основе крезольного лака. Температура
подложки в процессе нанесения покрытия составляла 50-70°С. Для улучшения
адгезии контактного покрытия и повышения его износостойкости проводится
термообработка металлизированных ТПЭ в печи с инфракрасным обогревом при температуре
(175±10)°С в течение 24 мин. Испытания на износ проведены на специальном
стенде, число испытательных циклов в паре с графитовой щеткой составляло 25000.
Исследование структуры поверхности контактного слоя показало, что контактное
покрытие воспроизводит рельеф токопроводящего слоя: на низкоомных участках оно имеет мелкодисперсную структуру,
на высокоомных – крупнозернистую. При визуальном
осмотре отмечено, что на низкоомных
участках резистивного слоя контактное покрытие светлое, матовое, а на
высокоомных - блестящее. Рассмотрев исходое состояние напыленного слоя,
находящегося вблизи зоны контакта можем отметить, что поверхность волнистая за
счет разновысокого скопления частиц. Установлено, что свежеосажденная пленка Сu – Sn неплотная, имеет рыхлое строение частиц. В
результате прогрева кристаллы в пленке укрупнняются, пленка становится более
плотной, компактной. Термообработка также улучшает рельеф поверхности
контактного слоя. Микротвердость контактного слоя составляет 3,5-4,2 ГПа, что
близко к микротвердости резистивного слоя (3,2-3,5 ГПа).
Процесс контактирования представляет периодическое чередование скачков и
пауз. Давление в паре не остается постоянным вследствие изменения исходного
микрорельефа поверхностей, образования прослойки продуктов изнашивания,
повреждения и разрушения защитной пленки. В отличие от статического
(термического) окисления диэлектрическая пленка окисла при трении возникает не
постоянно, а скачками. При этом
контактное сопротивление резко возрастает. Для достижения надежного
контактирования должно выполняться условие динамического равновесия
окислительно-восстановительных и других противоположных процессов образования и
разрушения непроводящих структур на уровне пленки с туннельной проводимостью.
Это представляется особенно важным с учетом наличия прямой корреляции между
процессами контактирования и изнашивания.
Исследование состояния поверхности контактного слоя после испытаний на
износоустойчивость показало, что истирание материала контактной площадки
незначительное, имеет место поверхностное полирование. Так как поверхность
волнистая, происходит неравномерный износ трущихся поверхностей. Наблюдаются
следы локального контакта, трещины и выкрашивания напыленного слоя. В зоне
скопления дефектов напыленного слоя наблюдается наличие продуктов окисления,
что приводит к некоторому увеличению сопротивления перехода пленка - скользящий
контакт, а следовательно, и к увеличению минимального
сопротивления резисторов. Случаи уменьшения минимального сопротивления можно
объяснить обжатием выступающих участков поверхности. Сглаживание рельефа
контактной площадки приводит к увеличению площади контактирования, следствием
чего является уменьшение Rk. На основании полученных результатов
математической обработки можно утверждать, что 80% образцов имеют начальное
значение Rmin нач, лежащее в интервале от 4 до 6 Ом. После
испытаний на износ значение Rmin кон,
колеблется в пределах от 80 до 10 Ом,
что значительно ниже допустимых значений Rmin по существующей
техдокументации (35-100 Ом). Изменение Rmin является
характерным показателем состояния поверхности контактного слоя. Следовательно,
в данном случае износ материала контактной площадки незначителен.
Анализ
полученных результатов позволяет рекомендовать сплав Сu – Sn, содержащий 60…62масс.%Sn к промышленному использованию в контактных
площадках переменных непроволочных композиционных резисторов. Производственные испытания подтвердили
обоснованность использованния сплавов этих составов для замены серебра.
ЛИТЕРАТУРА
1.
Костржицкий
А.И., Ляпина Е.В., Соколов А.Д. Коррозионно-стойкие конденсированные пленки
сплавов меди // Материалы 23-й ежегод. межд. конф. “Композиционные материалы в пром-сти”. – Ялта, 2003. –
С. 60-61.
2.
Ляпина
О.В. До питання про одержання функціональних конденсаційних покрить прямим
випаровуванням сполук у вакуумі / О.В. Ляпина, А.І. Костржицький // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – т. 6, №1. –
С. 161-164.