рахимбеков А.Ж.,
Уразалиев
У.И., Садуакасова Р.А., Нурбосынова Г.С., Курманбаев А.А.
Жетысуский
Государственный университет им. И.
Жансугурова,
Республика Казахстан
Определение концентрации кислорода в теллуре с помощью суперионика
Среди разнообразных и многочисленных приложений
твердых оксидных суперионных электролитов (ТОСП) в настоящее время наименее
развиты приложения в области полупроводниковой технологии. Известны примеры
использования твердых оксидных электролитов для дозирования кислорода в твердых
нестехиометрических окислах [1], для выращивания
монокристаллов диоксида ванадия из полупроводникового расплава пяти окиси
ванадия [2], для электрохимической формовки переключателей
на ванадиево-фосфатных стеклах [3].
В настоящей работе сделена попытка применения ТОСП для измерения и
дозирования кислорода в полупроводниковом материале теллуре. Небольшая
концентрация диоксида теллура является акцепторной примесью и повышает термоэдс
[4].
Образцы керамического диоксида циркония разных
составов выдерживали в жидком теллуре при 7000С в течение 10часов.
Видимых следов взаимодействия керамики с теллуром обнаружено не было.
Разработали, изготовили и исследовали прибор, показанный на рис. 1. Он включает
в себя две концентрические пробирки из керамической стабилизированного диоксида
циркония производства УкрНИИО. Исследуемый образец жидкого теллура1 расположен
между торцами наружной и внутренней пробирок 2 и 3, и отделен от циркулирующего в приборе газа теллуром,
отвержденным в узком кольцевом зазоре между стенками 4. Рабочая зона
разогревается печью сопротивления 5, для которой предусмотрена возможность
осевого перемещения. Наружная и внутренняя пробирки газоплотно соединены со
стеклянными деталями 6 и 7, конструкции которых обеспечивают возможность
Рис. 1. Экспериментальная установка для
определения концентрации кислорода в расплаве теллура
продувания прибора газом и герметизации с помощью
разьемного жидкостного затвора 8. Поверхности торцов пробирок (внутренняя для 3
и внешняя для 2) снабжены платиновыми пастовыми вожженными электродами 9 и 10.
Токоотводом для электрода 9 служит платиновая ветвь платино-платинородиевой
термопары, чехол которой снабжен прижимающим приспособлением. Токоотводом для
теллура служит платиновое покрытие, выполненное на расчетной высоте на одной из
пробирок, и смонтированная на нем платиновая проволока .
По существу, прибор представляет собой две
совмещенные ячейки. Любую из них можно использовать попеременно для дозирования
и измерения кислорода в теллуре, оставляя для другого электролита роль стенки
камеры. Либо можно использовать одновременно одну ячейку для измерения эдс,
другую-для регулирования содержания или концентрации кислорода в жидком
расплаве любого полупроводника исследуемого образца.
Для загрузки прибора теллуром предусмотрен глухой
колпак, частично совпадающий по
конструкции с деталью 7. Твердый теллур заданной массы загружали при комнатной
температуре на воздухе в пробирке 2, заранее соединенную с деталью 6, закрывали
глухим колпаком, в кольцевой паз детали 6 помещали жидкий галлий и в течение
нескольких часов систему продували аргоном, предварительно очищаемым от
кислорода с помощью кислородного насоса на основе ТОСП. После этого теллур
расплавляли, затем охлаждали. Скорость нагрева и охлаждения не превышала 2000/час.
Газ отключали только после охлаждения ячейки до комнотной температуры. На
следующем этапе подготовки прибора глухой колпак заменяли центральным узлом,
включающим в себя детали 3 и 7. Согласно предварительному расчету, в то время,
когда пробирка 3 стоит на поверхности отвержденного теллура, галлиевый затвор
уже закрыт, но остается возможность вертикального перемещения детали 7 вниз
относительно детали 6. Такую систему снова продували очищаемым аргоном, затем
теллур медленно разогревали «сверху вниз». При расплавлении образца пробирка 3
погружалась в теллур на расчетную глубину, ограниченную возможностью осевого
перемещения детали 7 в заполненном жидким галлием кольцевом пазу детали 6.
Вытесняемый при этом теллур поднимался в зазоре между стенками пробирок 2 и 3,
и в верхней своей части отверждался, перекрывая тем самым сообщение жидкого
теллура с газовой фазой над ним. После этого прибор был готов к работе.
Электроды подключали через регулируемое сопротивление к источнику постоянного
напряжения и контролирующим приборам. При Т=5710 C и массе образца теллура 6,97 г напряжение на
ячейке до пропускания тока составляло 835 мВ. Очевидно исходная чистота теллура
по кислороду была, по крайней мере, не хуже, чем соответствует равновесному
давлению кислорода в газовой фазе
(1)
Ро
= Р1 ехр ( )
здесь Р1 –
концентрация, или парциальное давление кислорода вне трубки равное 0.21*105Па, Ғ- число Фарадея, Е- электродвижущая сила, R-
универсальная газовая постоянная величина, Т - температура.
1.
Годин Ю.Г., Баранов В.Г. АС 669863 (СССР), 1979г.
2.
Андреев В.Н., Тимощенко Н.Е., Чудновский Ф.А.
Тезисы доклада VІ – ой международной
конференции по росту кристаллов, М., 1980г.
3.
Андреев В.Н., Тимощенко Н.Е., Черненко И.М., Чудновский
Ф.А., ЖТФ, 1981г., т 51, вып. 8, стр. 1685-1689.
4.
Вассерман А.М., Кунин Л.Л., Суровой Ю.Н.,
Определение газов в металлах. М., Наука, 1976г.